Microchip DN3765 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 598-171
Herst. Teile-Nr.:: DN3765K4-G
Marke:: Microchip

Microchip DN3765 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 598-171
Herst. Teile-Nr.:: DN3765K4-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	N-Kanal-DMOS-FET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	350mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	TO-252 (D-PAK-3)
	Serie	DN3765
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10Ω
	Channel-Modus	Entleerungsmodus
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	2.29mm
	Breite	3 mm
	Länge	4.4mm
	Normen/Zulassungen	RoHS, ISO/TS‑16949
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße TO-252 (D-PAK-3)
	Serie DN3765
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω
	Channel-Modus Entleerungsmodus
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 2.29mm
	Breite 3 mm
	Länge 4.4mm
	Normen/Zulassungen RoHS, ISO/TS‑16949
	Automobilstandard Nein

Datasheet - DN3765K4-G

Ursprungsland:: CN

Der Depletion-Mode-Transistor von Microchip (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

Microchip DN3765 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252

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