Microchip VP0550 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*

CHF.2'016.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
1000 +CHF.2.016CHF.2'018.10

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
598-726
Herst. Teile-Nr.:
VP0550N3-G
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Serie

VP0550

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.19 mm

Höhe

5.33mm

Länge

5.08mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der vertikale MOSFET mit P-Kanal-Enhancement-Modus von Microchip ist ein niedrigschwelliger, normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate von Supertex nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine robuste und zuverlässige Leistung gewährleistet.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Verwandte Links