Microchip LND01 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 9 V / 350 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23-5
- RS Best.-Nr.:
- 598-897
- Herst. Teile-Nr.:
- LND01K1-G
- Marke:
- Microchip
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- 598-897
- Herst. Teile-Nr.:
- LND01K1-G
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal-DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 9V | |
| Serie | LND01 | |
| Gehäusegröße | SOT-23-5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 1.75 mm | |
| Normen/Zulassungen | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 9V | ||
Serie LND01 | ||
Gehäusegröße SOT-23-5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 1.75 mm | ||
Normen/Zulassungen ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip Depletion-Mode MOSFET ist ein niedriger Schwellenwert, Depletion-Mode-Transistor (normalerweise eingeschaltet), der eine fortschrittliche seitliche DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate nutzt. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist.
Geringer Widerstand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
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