Vishay SIJ4406DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 78 A 41.6 W, 4-Pin PowerPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.1’449.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.483CHF.1’461.60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-105
Herst. Teile-Nr.:
SIJ4406DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

78A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIJ4406DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00475Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

41.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.25 mm

Länge

6.25mm

Höhe

1.14mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt bis zu 40 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK SO-8L, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um eine sehr niedrige Gate-Ladung (Qg), eine reduzierte Ausgangsladung (Qoss) und einen ausgezeichneten Schaltwirkungsgrad zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links