Vishay SISS5812DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 42.8 A 44.6 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-133
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5812DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5812DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SISS5812DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0135Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 44.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.40mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Breite | 3.40 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SISS5812DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0135Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 44.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.40mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.83mm | ||
Breite 3.40 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen V ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Gepackt in einem kompakten PowerPAK 1212-8S ist es ideal für KI-Server-Stromversorgungslösungen, DC/DC-Wandler und Lastschaltungen.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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