Vishay SIRA12DDP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 81 A 38 W, 8-Pin PowerPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

CHF.0.378

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 24CHF.0.38
25 - 99CHF.0.34
100 - 499CHF.0.31
500 - 999CHF.0.26
1000 +CHF.0.24

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-145
Herst. Teile-Nr.:
SIRA12DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIRA12DDP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0036Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.15mm

Höhe

1.04mm

Breite

6.15 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für ein hocheffizientes Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen optimiert. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in PowerPAK SO-8, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), schnelles Schalten und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links