Vishay SUP50010EL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 653-153
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP50010EL-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SUP50010EL | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00173Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 192nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SUP50010EL | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00173Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 192nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 60 V ausgelegt. Er verfügt über eine sehr niedrige Gate-Drain-Ladung (Qgd), um Schaltverluste zu reduzieren, und unterstützt eine hohe Strombehandlung von bis zu 150 A. Verpackt in einem D2PAK, ist es ideal für DC/DC-Wandler, Motorantriebe, Batteriemanagement und synchrone Gleichrichtung in Netzteilen.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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