Vishay SUP60020E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-4929
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP60020E-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.91.35
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.827 | CHF.91.35 |
| 100 - 200 | CHF.1.575 | CHF.78.54 |
| 250 + | CHF.1.47 | CHF.73.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4929
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP60020E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SUP60020E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 151.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.51mm | |
| Breite | 4.65 mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SUP60020E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.51mm | ||
Breite 4.65 mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch das Durchlaufen von Vplateaus
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