Vishay SQ2389CES Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / -4.1 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 653-158
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- 653-158
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SQ2389CES | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.094Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.64mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SQ2389CES | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.094Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.64mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Einfache MOSFETs der Serie SQ2389CES von Vishay, -40 V maximale Drain-Source-Spannung, -4,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQ2389CES-T1_GE3
Dieses einzelne MOSFET-Gerät ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für den Einsatz auf Leiterplatten in Automobil- und industriellen Steuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er bietet einen Betrieb bei hohen Temperaturen und eine niedrige Durchlassspannung für Schalt- und Schutzfunktionen in Systemen, die ein kompaktes SOT‐23-Gehäuse und eine Robustheit in Automobilqualität erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von -40 V ermöglicht die Handhabung moderater negativer Schienenspannungen für das Schalten
• 0,094 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste während des Lastbetriebs
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten auf Leiterplatten
• 12 nC typische Gate-Ladung reduziert die Antriebsenergie für schnelleres Schalten
• Die Verlustleistung von 3 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb bei erhöhten Leistungsstufen
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für erweiterte thermische Umgebungen
• 0,094 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste während des Lastbetriebs
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten auf Leiterplatten
• 12 nC typische Gate-Ladung reduziert die Antriebsenergie für schnelleres Schalten
• Die Verlustleistung von 3 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb bei erhöhten Leistungsstufen
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für erweiterte thermische Umgebungen
Anwendungen
• Geeignet für High-Side-Schaltung in Kfz-Elektronikmodulen
• Ideal für den Lastschutz in Batteriemanagementsystemen
• Wird für den Verpolungsschutz in der Fahrzeugelektronik verwendet
• Kann für die Leistungsschaltung in industriellen Automatisierungssteuerungen verwendet werden
• Ideal für den Lastschutz in Batteriemanagementsystemen
• Wird für den Verpolungsschutz in der Fahrzeugelektronik verwendet
• Kann für die Leistungsschaltung in industriellen Automatisierungssteuerungen verwendet werden
Welches Gehäuse sollte ich für die Leiterplattenabmessung planen?
Das Gerät wird in einem dreidrigen SOT‐23-Gehäuse geliefert, das eine kleine Grundfläche für die Oberflächenmontage erfordert, die mit Standard-SOT‐23-Erdungsmustern kompatibel ist.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsspannung auf die Verwendung in Systemen aus?
Das Gate kann bis zu 20 V betrieben werden
stellen Sie sicher, dass Gate-Source-Ausflüge innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
Welche thermischen Überlegungen gelten für einen dauerhaften Betrieb?
Mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C und einer Verlustleistung von 3 W wird ein Wärmemanagement wie Kupferguss oder Kühlkörper für den kontinuierlichen Einsatz mit hoher Leistung empfohlen.
Kann es die Umweltanforderungen der Automobilindustrie erfüllen?
Es ist qualifiziert für AEC‐Q101-Stresstests und ist RoHS-konform, was den Anforderungen von Automobilkomponenten entspricht.
Was sind die erwarteten Schalteigenschaften?
Eine typische Gate-Ladung von 12 nC weist auf einen geringen Ladebedarf hin und unterstützt eine relativ niedrige Treibenergie für Schaltübergänge.
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