Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.1 A 3 W, 3-Pin SQ2389ES-T1_GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
180-8138
Herst. Teile-Nr.:
SQ2389ES-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

188mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.64 mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 94mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 4.1A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

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