ROHM RY7P250BM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 340 W, 8-Pin DFN8080T8LSHAAI

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Herst. Teile-Nr.:
RY7P250BMTBC
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

DFN8080T8LSHAAI

Serie

RY7P250BM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.86mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.70 mm

Länge

1.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Dieser MOSFET ist ideal für den Einsatz in Hot Swap-Controllern und anderen Leistungsschaltanwendungen, wo sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 1,86 mΩ minimalen Energieverlust während des Betriebs gewährleistet. Diese Komponente ist RoHS- und halogenfrei, was sie zu einer sicheren Wahl für umweltbewusste Designs macht. Mit fortschrittlichen Funktionen wie 100 % Rg und UIS-Tests garantiert er eine robuste Leistung unter verschiedenen Bedingungen und eignet sich daher für leistungsstarke und hochzuverlässige elektronische Schaltungen.

Niedriger Einschaltwiderstand für erhöhte Effizienz

Breite SOA-Eigenschaften für überragende Zuverlässigkeit

Entwickelt für kontinuierliche Ablassströme bis zu 250 A

Hohe Impuls-Drain-Stromfähigkeit bei ±900 A

Ausgezeichnetes Wärmemanagement mit einem Wärmewiderstand von 0,44 °C/W

Geeignet für einen weiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C

Erfüllt die RoHS- und halogenfreien Normen.

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