ROHM R2P Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 0.5 W, 3-Pin MPT3

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Herst. Teile-Nr.:
R2P020N06HZGT100
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

R2P

Gehäusegröße

MPT3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4.70 mm

Länge

4.30mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 60 Volt und 2 Ampere mittlerer Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und unterstützt den Betrieb mit niedriger Spannung (2,5 Volt).

AEC-Q101-qualifiziert

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