ROHM AG087FGD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 40 A 53 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-378
- Herst. Teile-Nr.:
- AG087FGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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- AG087FGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG087FGD3HRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.80 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie AG087FGD3HRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.80 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Dieses vielseitige Bauteil arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 40 V und ermöglicht eine effiziente Steuerung in Energiemanagementsystemen. Er verfügt über eine fortschrittliche Technologie und einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 7,0 mΩ, wodurch die Energieeffizienz und die thermische Leistung optimiert werden. Dieser AEC-Q101-qualifizierte MOSFET ist auch in rauen Automobilumgebungen zuverlässig und damit eine gute Wahl für Ingenieure, die langlebige Lösungen suchen. Seine robuste thermische Beständigkeit und das Lawinengeprüfte Design gewährleisten eine außergewöhnliche Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen und bestätigen seinen Status als bevorzugte Option für Hochstromanwendungen.
Kontinuierlicher Ablassstrom von ±40 A für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Szenarien
Durchschlagsspannung von 40 V für robusten Schutz gegen Überspannungen
Niedrige Gate-Schwellenspannung von 1,0 V bis 2,5 V ermöglicht einen reibungsloseren Betrieb und Kontrolle
Konform mit AEC Q101, was seine Eignung für Automobilanwendungen unterstreicht
Außergewöhnlicher Wärmewiderstand von 2,80 °C/W, der die Wärmeableitung und Lebensdauer erhöht
100 % Avalanche-getestet, für ein sicheres Gefühl in Umgebungen mit hoher Belastung
Verfügt über ein DPAK-Gehäuse, das die Grundfläche optimiert und gleichzeitig ein effektives Wärmemanagement unterstützt
Geeignet für hocheffiziente Konstruktionen in der Automobilindustrie und anderen Hochstromanwendungen
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