STMicroelectronics STP25 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 56 A 320 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
711-524
Herst. Teile-Nr.:
STP25N018M9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

STP25

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

320W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Länge

15.75mm

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, geeignet für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr Niedriger RDS(on) pro Bereich. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Das Produkt verfügt über einen der niedrigeren Einschaltwiderstände und reduzierten Gate-Ladungswerte unter allen siliziumbasierten Hochgeschwindigkeits-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs, was es besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Sehr niedriger FOM (RDS(on)·Qg)

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Ausgezeichnete Schaltleistung

Leichte Ansteuerung

100 % Avalanche-getestet

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