onsemi NXH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 76 A 69 W, 56-Pin Leistung 56

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277-063
Herst. Teile-Nr.:
FDMS8333LN
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

76A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

Leistung 56

Serie

NXH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

56

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.1 mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von ON Semiconductor wurde speziell zur Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads und zur Minimierung der Schaltknotenberingung von DC/DC-Wandlern entwickelt, die entweder synchrone oder herkömmliche Schalt-PWM-Controller verwenden. Er wurde im Hinblick auf eine niedrige Gate-Ladung, einen niedrigen RDS(ON), eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine hohe Rückspeiseleistung von Body und Body-Diode optimiert.

100% UIL-geprüft

MSL 1 robustes Verpackungsdesign

RoHS-Konformität

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