onsemi NXH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 149 A 34.2 W, 34-Pin NXH007F120M3F2PTHG PIM34

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NXH007F120M3F2PTHG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

149A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM34

Pinanzahl

34

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

34.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

407nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ON Semiconductor MOSFET ist ein Leistungsmodul mit einer 7 mOhm / 1200 V SiC MOSFET Halbbrücke und einem Thermistor mit HPS DBC in einem F2-Gehäuse.

Halogenfrei

RoHS-konform

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