onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 42 A 100 W, 18-Pin NXH030P120M3F1PTG PIM18
- RS Best.-Nr.:
- 277-056
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH030P120M3F1PTG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PIM18 | |
| Serie | NXH | |
| Montageart | Einrastmontage | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PIM18 | ||
Serie NXH | ||
Montageart Einrastmontage | ||
Pinanzahl 18 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.
Presspassungsstifte
Bleifrei
Halogenidfrei und RoHS-konform
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