onsemi NXH Typ P, Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 192 A 511 W, 44-Pin NXH600B100H4Q2F2PG PIM44

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NXH600B100H4Q2F2PG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM44

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

44

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

766nC

Maximale Verlustleistung Pd

511W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.55V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das hybride dreikanalige symmetrische Boost-Modul von ON Semiconductor verfügt über zwei 1000V, 200A IGBTs und zwei 1200V, 60A SiC-Dioden pro Kanal sowie einen NTC-Thermistor zur Temperaturüberwachung. Das Modul nutzt die Trench with Field Stop-Technologie für einen hohen Wirkungsgrad, wodurch Schaltverluste und die Verlustleistung des Systems erheblich reduziert werden. Sein Design bietet eine hohe Leistungsdichte und eignet sich daher für anspruchsvolle Leistungsanwendungen, die eine optimale Leistung und Wärmeverwaltung erfordern.

Niederinduktive Auslegung

Niedrige Bauhöhe

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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