onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 145 A 34.2 W, 18-Pin PIM18

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Herst. Teile-Nr.:
NXH008P120M3F1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PIM18

Serie

NXH

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

18

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

6.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

419nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

34.2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine 8 mΩ, 1200V SiC MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor, die alle in einem F1-Gehäuse untergebracht sind. Dieses Modul ist für hocheffiziente Stromanwendungen konzipiert und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industriellen Stromversorgungssystemen.

Presspassungsstifte

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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