onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 77 A 198 W, 18-Pin PIM18
- RS Best.-Nr.:
- 277-053
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH015P120M3F1PTG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PIM18 | |
| Serie | NXH | |
| Montageart | Einrastmontage | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 198W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 211nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PIM18 | ||
Serie NXH | ||
Montageart Einrastmontage | ||
Pinanzahl 18 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 198W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 211nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit 15 mΩ und 1200 V sowie einen Thermistor, die alle im F1-Format untergebracht sind. Er ist für eine hocheffiziente Stromumwandlung ausgelegt und eignet sich daher ideal für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.
Presspassungsstifte
Bleifrei
Halogenidfrei und RoHS-konform
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