onsemi NXH Typ N-Kanal, Einrastmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 105 A 272 W, 18-Pin NXH010P120M3F1PTG PIM18

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Herst. Teile-Nr.:
NXH010P120M3F1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

105A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NXH

Gehäusegröße

PIM18

Montageart

Einrastmontage

Pinanzahl

18

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

314nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

272W

Durchlassspannung Vf

6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Das Leistungsmodul von ON Semiconductor enthält eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit 10 mΩ und 1200 V sowie einen Thermistor, die alle in ein F1-Gehäuse integriert sind. Dieses Modul eignet sich hervorragend für Hochleistungsanwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungssysteme.

Presspassungsstifte

Bleifrei

Halogenidfrei und RoHS-konform

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