STMicroelectronics STS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 719-622
- Herst. Teile-Nr.:
- STS10N3LH5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | STS | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie STS | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
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