STMicroelectronics Isoliert STripFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 920-6557
- Herst. Teile-Nr.:
- STS4DNF60L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 920-6557
- Herst. Teile-Nr.:
- STS4DNF60L
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.25mm | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-STripFET™-Dual-MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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