- RS Best.-Nr.:
- 920-6557
- Herst. Teile-Nr.:
- STS4DNF60L
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-STripFET™-Dual-MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | STripFET |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 55 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 2 W |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | -15 V, +15 V |
Breite | 4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 4,5 V |
Länge | 5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.25mm |
- RS Best.-Nr.:
- 920-6557
- Herst. Teile-Nr.:
- STS4DNF60L
- Marke:
- STMicroelectronics