STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10 A 2.7 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5564
Herst. Teile-Nr.:
STS10P4LLF6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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