STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
STD10P6F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.45 mm

Höhe

2.38mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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