onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
163-1128
Herst. Teile-Nr.:
NTMD4N03R2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
PH

Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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