Vishay TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 7.3 A 3.3 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 736-653
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.0.495
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.0.50 |
| 25 - 99 | CHF.0.32 |
| 100 + | CHF.0.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 736-653
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.19Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.19Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Verwandte Links
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 45 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 30 A 45 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 183 W, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33.6 A 68 W, 4-Pin SO-8
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 34 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin TO-236
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8