Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 650 V / 30 A 694 W, 4-Pin Band und Rolle
- RS Best.-Nr.:
- 762-939
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPQC65R017CFD7XTMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 236nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8.2mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 236nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8.2mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons 650 V CoolMOS CFD7A ist die neueste Generation von marktführenden CoolMOS-Hochspannungs-MOSFETs, die für den Automobilbereich qualifiziert sind. Die neue Serie CoolMOS CFD7A bietet eine integrierte schnelle Body-Diode und kann für PFC- und Resonanzschalttechnologien verwendet werden.
Neueste 650-V-Qualifizierte Technologie für die Automobilindustrie
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit
100 % Avalanche-getestet
Geringere Schaltverluste
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