Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1400 V / 207 A 710 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 762-946
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.45.733
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.45.73 |
| 10 - 24 | CHF.41.16 |
| 25 + | CHF.33.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-946
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 207A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1400V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 203nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 710W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.9mm | |
| Länge | 23.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 207A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1400V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 203nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 710W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.9mm | ||
Länge 23.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET verfügt über eine Nennspannung von 1400 V und eine Strombelastbarkeit von 147 A bei 100 °C mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 8,5 mΩ. Er unterstützt eine hohe thermische Leistung und hält Kurzschlüssen für 2 μs stand. Das Gerät ist mit einem robusten Schutz vor parasitären Einschaltvorgängen und einem hohen Kriechweg ausgestattet.
Sehr geringe Schaltverluste
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
Breite Stromversorgungsstifte für hohe Strombelastbarkeit
Widerstandsfähige schweißbare Stifte für direkte Sammelschienenanschlüsse
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1400 V / 100 A 385 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 23 A 113 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 32 A 144 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 89 A 319 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 16 A 86 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 44 A 185 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 60 A 234 W, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 75 A 278 W, 4-Pin PG-TO247-4