onsemi FDV3 N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs N 25 V / 0.22 A 0.35 W, 3-Pin SOT-23-3
- RS Best.-Nr.:
- 765-307
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV301N
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | FDV3 | |
| Gehäusegröße | SOT-23-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.35W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.49nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie FDV3 | ||
Gehäusegröße SOT-23-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.35W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.49nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Logikpegel-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor von onsemi wurde für Niederspannungsanwendungen entwickelt. Dieses fortschrittliche Gerät nutzt die proprietäre G S DMOS-Technologie, um einen minimalen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erreichen, womit es eine ideale Wahl für den Ersatz mehrerer digitaler Transistoren ist. Es beseitigt den Bedarf an Vorspannungswiderständen und optimiert das Schaltungsdesign, indem es eine einzige FET-Lösung für verschiedene digitale Anwendungen bietet, was letztendlich die Effizienz und Zuverlässigkeit elektronischer Geräte verbessert.
Unterstützt einen kontinuierlichen Ablassstrom von 0,22 A mit einer Spitze von 0,5 A
Verfügt über einen niedrigen R DS(on) von nur 4 Ohm bei 4,5 V, was eine effiziente Stromverarbeitung gewährleistet
Entwickelt für den direkten Betrieb in 3-V-Schaltkreisen, was eine nahtlose Integration in Niederspannungsanlagen ermöglicht
Kann mehrere digitale NPN-Transistoren ersetzen, wodurch die Anzahl der Komponenten in Designs vereinfacht wird
Entspricht den bleifreien und halogenfreien Normen und unterstützt umweltbewusste Designs
Der Wärmewiderstand von 357 °C/W gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter wechselnden Temperaturbedingungen
Maximale Drain-Source-Nennspannung von 25 V bietet robuste Funktionalität für verschiedene Anwendungen
Gate-Schwellenspannungsbereich gewährleistet gleichbleibende Leistung über das gesamte Betriebsspektrum
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