onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 310 mA 0.42 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 838-682
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002ET7G
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 310mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.81nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.81nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Kleinsignal-MOSFET von onsemi ist für Schaltanwendungen mit niedriger Seitenlast ausgelegt. Diese Komponente verfügt über ein kompaktes SOT-23-Gehäuse, das sich ideal für platzbeschränkte Designs eignet und gleichzeitig eine zuverlässige Leistung bietet.
Niedriger R DS(on) sorgt für effizientes Energiemanagement
Trench-Technologie verbessert die Schalteffizienz
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen
Pb-frei und RoHS-konform für ökologische Nachhaltigkeit
Funktioniert mit einer Leitertemperatur von bis zu 260 °C für vielseitiges Löten
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