Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 41 A 205 W, 4-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 790-414
- Herst. Teile-Nr.:
- MXPQ120A063SL-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Serie | MaxSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Länge | 23.6mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Serie MaxSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Länge 23.6mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay ist ein Hochleistungs-Schaltgerät, das zur Steigerung der Effizienz in verschiedenen Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit optimiert die Betriebsleistung
Kurzschlussfestigkeit von 3 μs erhöht die Zuverlässigkeit
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen
Niedriger Einschaltwiderstand von 63 mΩ sorgt für minimalen Leistungsverlust
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