STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 1200 V / 6 A 165 W,
- RS Best.-Nr.:
- 800-461
- Herst. Teile-Nr.:
- STH8N120K5-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 165W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.8mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | ECOPACK | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 165W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.8mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen ECOPACK | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands im eingeschalteten Zustand und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
AEC-Q101 qualifiziert
Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche
Branchenbeste FoM (meritfaktor)
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Avalanche-getestet
Zener-geschützt
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