STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 650 V / 58 A 321 W,

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RS Best.-Nr.:
800-466
Herst. Teile-Nr.:
STW65N040M9-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

STH285N10F8-6AG

Gehäusegröße

PG-TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

321W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Breite

5.1mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist.

Sehr niedriger FOM (RDS(on)·Qg)

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Ausgezeichnete Schaltleistung

Leichte Ansteuerung

100 % Avalanche-getestet

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Antriebsstifts

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