STMicroelectronics STH285N10F8-2AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 100 V / 292 A 341 W,

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RS Best.-Nr.:
800-459
Herst. Teile-Nr.:
STH285N10F8-2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

292A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

STH285N10F8-2AG

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

177nC

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Source-spannung max Vgs

4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.7mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Höhe

15.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der 100-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in der STripFET-F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trunking-Gate-Struktur.

AEC-Q101 qualifiziert

175 °C maximale Sperrschichttemperatur

100 % Avalanche-getestet

Ausgezeichnete FoM (Verdienstzahl)

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