STMicroelectronics STH N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 397 A 341 W, 2-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 719-652
- Herst. Teile-Nr.:
- STH345N6F7-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STH345N6F7-2
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 397A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STH | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 230nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Länge | 9.3mm | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 397A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STH | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 230nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.4 mm | ||
Länge 9.3mm | ||
Höhe 4.7mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
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