Microchip Power MOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 41 A 378 W, 4-Pin SOT
- RS Best.-Nr.:
- 813-813
- Herst. Teile-Nr.:
- APT5010JLLU2
- Marke:
- Microchip
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- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | SOT | |
| Serie | Power MOS 7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 378W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 38.02mm | |
| Breite | 11.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße SOT | ||
Serie Power MOS 7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 378W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 38.02mm | ||
Breite 11.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Das Hochleistungs-MOSFET-Gerät von Microchip wurde für den effizienten Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Diese Komponente zeichnet sich sowohl bei der Steuerung von Wechsel- als auch Gleichstrommotoren aus und bietet robuste Lösungen für das Energiemanagement.
Die Drain-Source-Durchbruchspannung von 500 V erhöht die Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen
Niedriger ON-Widerstand von 100 mΩ minimiert den Energieverlust und optimiert die Leistung
Entwickelt mit niedriger Gate-Ladung für verbesserte Schalteffizienz
Gebaut mit einem robusten Gehäuse, das die direkte Montage an Kühlkörpern unterstützt
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