Microchip Power MOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 32 A 290 W, 4-Pin SOT
- RS Best.-Nr.:
- 813-814
- Herst. Teile-Nr.:
- APT50M75JLLU2
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.26.593
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | CHF 26.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 813-814
- Herst. Teile-Nr.:
- APT50M75JLLU2
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | SOT | |
| Serie | Power MOS 7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 38.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße SOT | ||
Serie Power MOS 7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 38.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Das MOSFET-Leistungsmodul von Microchip wurde für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Anwendungen entwickelt. Es eignet sich hervorragend für Hochfrequenzbetrieb und bietet robuste Leistungsmerkmale für anspruchsvolle Bedingungen.
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) für eine effektive Leitfähigkeit
Geringe Gate-Ladung und Kapazität für effiziente Leistung
Ausgelegt für 500 V Drain-Source-Ausbruchspannung
Umfasst ISOTOP-Gehäuse für einfache direkte Kühlkörpermontage
Verwandte Links
- Microchip Power MOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 41 A 378 W, 4-Pin SOT
- Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 2 8-Pin DSO 25V 80 ns
- Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin SOT-23
- Microchip MOSFET MOSFET 1.2 A 1 4-Pin SOT-123 18V 40 ns
- Microchip MOSFET MOSFET 13 A 1 8-Pin SOIC 20V 32 ns
- Microchip MOSFET MOSFET 13 A 1 8-Pin PDIP 20V 32 ns
- Microchip VP2450 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 160 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-89
- Microchip MOSFET MOSFET 1.5 A 1 5-Pin SOT-23 18V 21 ns