Microchip Power MOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 32 A 290 W, 4-Pin SOT

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RS Best.-Nr.:
813-814
Herst. Teile-Nr.:
APT50M75JLLU2
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

Power MOS 7

Gehäusegröße

SOT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

38.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Das MOSFET-Leistungsmodul von Microchip wurde für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Anwendungen entwickelt. Es eignet sich hervorragend für Hochfrequenzbetrieb und bietet robuste Leistungsmerkmale für anspruchsvolle Bedingungen.

Verfügt über einen niedrigen RDS(on) für eine effektive Leitfähigkeit

Geringe Gate-Ladung und Kapazität für effiziente Leistung

Ausgelegt für 500 V Drain-Source-Ausbruchspannung

Umfasst ISOTOP-Gehäuse für einfache direkte Kühlkörpermontage

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