Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 60 V / 7 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- RS Best.-Nr.:
- 829-347
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | SISS | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0285Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.30mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Breite | 3.30mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie SISS | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0285Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.30mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Breite 3.30mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der hochmoderne N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Er zeichnet sich durch die Reduzierung von schaltbedingten Leistungsverlusten aus und bietet gleichzeitig eine robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen.
Verfügt über TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Effizienz
Vollständig bleifreies Gerät gewährleistet Umweltverträglichkeit
Optimierte Ladeeigenschaften minimieren Energieverluste
Umfassende Rg- und UIS-Tests garantieren Zuverlässigkeit
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