Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin P

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RS Best.-Nr.:
829-345
Herst. Teile-Nr.:
SISS110DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

P

Serie

SISS

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.054Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

24W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.3mm

Länge

3.3mm

Höhe

1.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet effiziente Leistungsmanagementlösungen mit ausgezeichneten Leitfähigkeiten. Er wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt und bietet eine hervorragende Schalt- und Wärmeleistung.

Verfügt über TrenchFET Gen IV-Technologie für überlegene Effizienz und Leistung

Garantiert 100 % RDS(on) und UIS auf Zuverlässigkeit im Betrieb getestet

Kontinuierlicher Ablassstrom von 11 A gewährleistet eine robuste Lieferung

Optimiert für niedrige RDS(on)-Werte, verbessert die thermische Leistung

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