Vishay SIR N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 100 V / 203 A 205 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-344
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5100EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.373
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 3.37 |
| 10 - 99 | CHF 2.19 |
| 100 - 499 | CHF 1.54 |
| 500 - 999 | CHF 1.29 |
| 1000 + | CHF 1.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-344
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5100EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 203A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | P | |
| Serie | SIR | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0027Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 203A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße P | ||
Serie SIR | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0027Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.04mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet eine hohe Leistung für Anwendungen, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit seinem fortschrittlichen Design ermöglicht es eine erhebliche Reduzierung der Verlustleistung und ein verbessertes Gesamt-Thermomanagement.
Bietet eine Drain-Source-Nennspannung von 100 V und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb
Erreicht einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand, der den Leistungsverlust während der Leitung minimiert
Bietet einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 203 A, geeignet für hohe Leistungsanforderungen
Verfügt über eine bleifreie und halogenfreie Konstruktion für die Einhaltung von Umweltvorschriften
Verwandte Links
- Vishay SIR N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 125 A 104 W, 8-Pin P
- Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60.6 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90.9 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 37.1 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 149 A 104 W, 8-Pin P
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 3.4 A 15.6 W, 6-Pin P
- Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin P
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 3.4 A 104 W, 8-Pin P