Vishay SIR N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 100 V / 203 A 205 W, 8-Pin P

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RS Best.-Nr.:
829-344
Herst. Teile-Nr.:
SIRS5100EPW-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

P

Serie

SIR

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0027Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

205W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

1.04mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet eine hohe Leistung für Anwendungen, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit seinem fortschrittlichen Design ermöglicht es eine erhebliche Reduzierung der Verlustleistung und ein verbessertes Gesamt-Thermomanagement.

Bietet eine Drain-Source-Nennspannung von 100 V und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb

Erreicht einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand, der den Leistungsverlust während der Leitung minimiert

Bietet einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 203 A, geeignet für hohe Leistungsanforderungen

Verfügt über eine bleifreie und halogenfreie Konstruktion für die Einhaltung von Umweltvorschriften

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