Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 3.4 A 104 W, 8-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-364
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR580DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.242
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.24 |
| 10 - 99 | CHF.1.44 |
| 100 - 499 | CHF.0.98 |
| 500 - 999 | CHF.0.83 |
| 1000 + | CHF.0.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-364
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR580DP-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | P | |
| Serie | SI | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0192Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße P | ||
Serie SI | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0192Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Diese fortschrittliche Komponente eignet sich hervorragend für Aufgaben, die ein hohes Maß an Stromverarbeitung und Spannungsregelung erfordern.
TrenchFET Gen V-Technologie für überlegene Effizienz
Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
Umfassende Zuverlässigkeitsprüfungen, einschließlich UIS-Prüfung
Optimiert für niedrige R x Q-Leistungsziffer zur Verbesserung der Leistung
Verwandte Links
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 149 A 104 W, 8-Pin P
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 3.4 A 15.6 W, 6-Pin P
- Vishay SIR N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 125 A 104 W, 8-Pin P
- Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin P
- Vishay SIR5607DP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90.9 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI P-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus -60 V / -120 A 375 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 6 A 19.9 W, 8-Pin TSOP-6
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 6 A 3.3 W, 6-Pin TSOP-6