Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 3.4 A 15.6 W, 6-Pin P
- RS Best.-Nr.:
- 829-363
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 0.79
Auf Lager
- 6'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 0.79 |
| 10 - 99 | CHF 0.55 |
| 100 - 499 | CHF 0.34 |
| 500 - 999 | CHF 0.22 |
| 1000 + | CHF 0.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-363
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SI | |
| Gehäusegröße | P | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0192Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SI | ||
Gehäusegröße P | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0192Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Seine robuste Konstruktion ermöglicht eine zuverlässige Funktion unter anspruchsvollen Bedingungen.
Die Ablass-Quellenspannung von 30 V ermöglicht einen vielseitigen Anwendungsbereich
Maximaler Widerstand im eingeschalteten Zustand von 0,0192 Ohm bei 10 V verbessert die Energieeffizienz
Konfiguriert als einzelnes Gerät, wodurch Platz und Leistung optimiert werden
Entwickelt mit TrenchFET-Technologie für überlegene Schaltfunktionen
Verwandte Links
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 3.4 A 104 W, 8-Pin P
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 149 A 104 W, 8-Pin P
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 6 A 19.9 W, 8-Pin TSOP-6
- Vishay SI N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 30 V / 6 A 3.3 W, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin P
- Vishay SI P-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus -60 V / -120 A 375 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SIA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 9 A 15.6 W PowerPAK SC-70
- Vishay SIA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 9 A 15.6 W PowerPAK SC-70