Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- RS Best.-Nr.:
- 829-348
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS862ADN-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.1.737
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.74 |
| 10 - 99 | CHF.1.09 |
| 100 - 499 | CHF.0.72 |
| 500 - 999 | CHF.0.57 |
| 1000 + | CHF.0.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-348
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS862ADN-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SISS | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0072Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.30mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 3.30mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SISS | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SLW | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0072Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.30mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 3.30mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der fortschrittliche N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde hauptsächlich für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Es bietet eine robuste Leistung mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Die Betriebsspannung von bis zu 60 V gewährleistet Vielseitigkeit in verschiedenen Anwendungen
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand optimiert die Energieeffizienz
Garantierter sicherer Betriebsbereich erhöht die Zuverlässigkeit unter hohen Bedingungen
Gründlich getestet für R und UIS für garantierte Leistung
Verwandte Links
- Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 60 V / 7 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay SISS N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin P
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26.2 A 54.3 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin 1212-8S
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40.7 A 52 W, 8-Pin 1212-8S
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / 101 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 58 A 40 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW