Vishay SQM P-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus -100 V / -93 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 829-357
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM100P10-19L_NE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0190Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 124nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 10.28mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0190Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 124nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.16mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 10.28mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Automobilanwendungen entwickelt und bietet effiziente Leistung und hohe Zuverlässigkeit. Die fortschrittliche TrenchFET-Technologie gewährleistet ein optimales Wärmemanagement und effektive Schaltfunktionen.
Die TrenchFET-Technologie verbessert die Effizienz und thermische Leistung
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von -100 V, was einen robusten Betrieb gewährleistet
Gehäuse für geringen Wärmewiderstand für bessere Wärmeableitung
Tests zeigen 100 % R- und UIS-Validierung für hohe Zuverlässigkeit
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