Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 90 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8130
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM90P10-19L-E3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.5.187 | CHF.25.96 |
| 25 - 45 | CHF.4.673 | CHF.23.36 |
| 50 - 120 | CHF.4.41 | CHF.22.06 |
| 125 - 245 | CHF.4.158 | CHF.20.77 |
| 250 + | CHF.3.896 | CHF.19.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8130
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM90P10-19L-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.019Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 0.625in | |
| Breite | 10.414 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.019Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 0.625in | ||
Breite 10.414 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package, is a new-age product with a drain-source voltage of 100V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 19mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 375W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
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