Vishay Einfach SQM Typ P-Kanal 1 TrenchFET Leistungs-MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-7405
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM120P06-07L_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQM120P06-07L_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | TrenchFET Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0067Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 270nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 0.41 in | |
| Höhe | 0.19in | |
| Länge | 0.625in | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ TrenchFET Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0067Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 270nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 0.41 in | ||
Höhe 0.19in | ||
Länge 0.625in | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 6.7mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 375W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Package low thermal resistance
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Load switches
• Notebook PCs
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