STMicroelectronics STB Series N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterungsmodus 250 V / 56 A 320 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
839-144
Herst. Teile-Nr.:
STB25N018M9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STB Series

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

320W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.5mm

Länge

10.3mm

Normen/Zulassungen

ROHS

Breite

10mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist eine N-Kanal-Super-Junction-Komponente, die auf der Advanced MDmesh M9-Technologie basiert. Er ermöglicht kleinere, kompaktere Layouts, ohne die Wärmekapazität zu beeinträchtigen.

D2PAK-Gehäuse für Oberflächenmontage

Siliziumbasierter Multi-Drain-Herstellungsprozess

Geringe Gate-Ladung mit hervorragender Effizienz

Verbesserte dv/dt-Fähigkeit und Avalanche-getestet

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