STMicroelectronics STB Series N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterungsmodus 250 V / 56 A 320 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 839-144
- Herst. Teile-Nr.:
- STB25N018M9
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 839-144
- Herst. Teile-Nr.:
- STB25N018M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STB Series | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Breite | 10mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STB Series | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Breite 10mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist eine N-Kanal-Super-Junction-Komponente, die auf der Advanced MDmesh M9-Technologie basiert. Er ermöglicht kleinere, kompaktere Layouts, ohne die Wärmekapazität zu beeinträchtigen.
D2PAK-Gehäuse für Oberflächenmontage
Siliziumbasierter Multi-Drain-Herstellungsprozess
Geringe Gate-Ladung mit hervorragender Effizienz
Verbesserte dv/dt-Fähigkeit und Avalanche-getestet
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