STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterungsmodus 100 V / 125 A, 8-Pin PowerLeaded

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RS Best.-Nr.:
834-675
Herst. Teile-Nr.:
STL125N10LF8AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerLeaded

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6mm

Breite

5mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

ROHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt eine fortschrittliche Trench-Gate-Technologie, um die Leistungsdichte und Effizienz in Automobil- und industriellen Leistungsumwandlungssystemen zu optimieren.

Die Qualifizierung für die Automobilindustrie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen

Status der ART-Leistungsziffer reduziert die Gesamt-Schaltverluste erheblich

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert die Wärmeableitung bei hoher Stromleitung

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