STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 103-1988
- Herst. Teile-Nr.:
- STD7NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 103-1988
- Herst. Teile-Nr.:
- STD7NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | MDmesh | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie MDmesh | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.2 mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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